Figure 1-9 shows VED vs. V
參數(shù)資料
型號： MCP6N11T-100E/MNY
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 3/50頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8TDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
放大器類型： 儀表
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 6 V/µs
增益帶寬積： 35MHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 350µV
電流 - 電源： 800µA
電流 - 輸出 / 通道： 30mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-WFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-TDFN（2x3）
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： MCP6N11T-100E/MNYDKR
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 11
MCP6N11
Figure 1-9 shows VED vs. VDM, as well as a linear fit
line (VED_LIN) based on VE and gE. The op amp is in
standard conditions (
ΔVOUT =0, etc.). VDM is swept
from VDML to VDMH.
FIGURE 1-9:
Differential Input Error vs.
Differential Input Voltage.
Based on the measured VED data, we obtain the
following linear fit:
EQUATION 1-11:
Note that the VE value measured here is not as
accurate as the one obtained in Section 1.5.1 “Input
The remaining error (
ΔVED) is described by the
Differential Mode Non-Linearity spec:
EQUATION 1-12:
V1
V3
VED, VED_LIN (V)
VDM (V)
VDML
VDMH
0
V2
VED_LIN
VED
ΔVED
Where:
V
ED_LIN
1g
E
+
()V
E
g
EVDM
+
=
g
E
V
3
V
1
–
V
DMH
V
DML
–
-----------------------------------
1
–
=
V
E
V
2
1g
E
+
----------------
=
Where:
INL
DM
max
ΔV
ED
V
DMH
V
DML
–
-----------------------------------
=
ΔV
ED
V
ED
V
ED_LIN
–
=
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