Note: Unless otherwise indicated, TA
參數(shù)資料
型號： MCP6V28T-E/SN
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 9/50頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP AUTO-ZERO SGL 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,300
放大器類型： 自動調(diào)零
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 1 V/µs
增益帶寬積： 2MHz
電流 - 輸入偏壓： 7pA
電壓 - 輸入偏移： 2µV
電流 - 電源： 620µA
電流 - 輸出 / 通道： 22mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 2.3 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
2011 Microchip Technology Inc.
DS25007B-page 17
MCP6V26/7/8
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.3V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =10kΩ to VL, CL = 60 pF and CS = GND.
FIGURE 2-47:
Inverting Large Signal Step
Response.
FIGURE 2-48:
Slew Rate vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-49:
Output Overdrive Recovery
vs. Time with G = -100 V/V.
FIGURE 2-50:
Output Overdrive Recovery
Time vs. Inverting Gain.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Time (s)
Ou
tput
V
o
lt
age
(V
)
VDD = 5.5V
G = -1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
255075
100
125
Ambient Temperature (°C)
Sl
ew
R
at
e
(V
/
s)
Falling Edge
VDD = 5.5V
VDD = 2.3V
Rising Edge
-1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Time (50 s/div)
O
u
tp
u
tV
o
lt
ag
e
(
V
)
-1
0
1
2
3
4
5
6
In
pu
t
V
o
lt
a
g
e×
G
(V
/V
)
VDD = 5.5V
G = -100 V/V
0.5V Overdrive
VOUT
G VIN
VOUT
G VIN
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Inverting Gain Magnitude (V/V)
O
ver
dr
iv
e
R
e
co
ve
ry
Ti
m
e
(
s)
0.5V Output Overdrive
tODR, low
tODR, high
VDD = 2.3V
VDD = 5.5V
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PDF描述
TSW-140-25-T-S-RA CONN HEADER 40POS .100" SNGL R/A
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MTLW-107-05-G-D-170 CONN HEADER 14POS 1.00" DL GOLD
TSW-108-07-G-T CONN HEADER 24POS .100" AU
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MCP6V31T-E/OT-CUT TAPE 制造商:Microchip Technology 功能描述:Cut Tape 制造商:Microchip Technology 功能描述:SP Amp Zero Drift Amplifier Single R-R I/O 5.5V 5-Pin SOT-23 T/R
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