參數(shù)資料
型號： MCR08BT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
中文描述： 0.8 A, 200 V, SCR, TO-261AA
封裝： CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： MCR08BT1
2
Motorola Thyristor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted, RGK = 1 K
)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current
(VAK = Rated VDRM or VRRM, RGK = 1000
)
TJ = 25
°
C
TJ = 110
°
C
IDRM, IRRM
—
—
—
—
10
200
μ
A
μ
A
Maximum On-State Voltage (Either Direction)*
(IT = 1.0 A Peak, TA = 25
°
C)
VTM
—
—
1.7
Volts
Gate Trigger Current (Continuous dc)
(Anode Voltage = 7.0 Vdc, RL = 100
)
IGT
—
—
200
A
μ
Holding Current
(VD = 7.0 Vdc,
Initializing Current = 20 mA, RGK = 1000
)
IH
—
—
5.0
mA
Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(Anode Voltage = 7.0 Vdc, RL = 100
)
VGT
—
—
0.8
Volts
Critical Rate-of-Rise of Off State Voltage
(Vpk = Rated VDRM, TC = 110
°
C, RGK = 1000
, Exponential Method)
dv/dt
10
—
—
V/
μ
s
* Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
Figure 1. PCB for Thermal Impedance and
Power Testing of SOT-223
0.079
2.0
0.079
2.0
0.059
1.5
0.091
2.3
0.091
2.3
0.472
12.0
0.096
2.44
BOARD MOUNTED VERTICALLY IN CINCH 8840 EDGE CONNECTOR.
BOARD THICKNESS = 65 MIL., FOIL THICKNESS = 2.5 MIL.
MATERIAL: G10 FIBERGLASS BASE EPOXY
0.984
25.0
0.244
6.2
0.059
1.5
0.059
1.5
0.096
2.44
0.096
2.44
0.059
1.5
0.059
1.5
0.15
3.8
inches
mm
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PDF描述
MCR08MT1 SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
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