參數(shù)資料
型號： MD1803DFH_0609
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display
中文描述： 高壓晶體管NPN電源標(biāo)準(zhǔn)清晰度陰極射線管顯示器
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： MD1803DFH_0609
MD1803DFH
Electrical characteristics
3/10
2
Electrical characteristics
(T
CASE
= 25
°C
;
unless otherwise specified)
Table 3.
Electrical characteristics
1
Pulsed duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector cut-off current
(V
BE
= 0)
V
CE
= 1500V
V
CE
= 1500V T
c
= 125°C
0.2
2
mA
mA
I
EBO
Emitter cut-off current
(I
C
= 0)
V
EB
= 5V
40
120
mA
V
(BR)EBO
Emitter-base breakdown voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 700 mA
10
V
V
CE(sat)
Note 1
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
= 5 A I
B
= 1.25 A
2
V
V
BE(sat)
Note 1
Base-emitter saturation voltage
I
C
= 5 A I
B
= 1.25 A
1.2
V
h
FE
Note 1
DC current gain
I
C
= 1 A V
CE
= 5 V
I
C
= 5 A V
CE
= 1 V
I
C
= 5 A V
CE
= 5 V
5.5
18
5
7.5
V
f
Diode forward voltage
I
F
= 5 A
1.6
V
t
s
t
f
Inductive load
Storage time
Fall time
I
C
= 4A
___ _ _
f
h
= 16KHz
I
B(on)
= 0.6A
__
V
BE(off)
= -2.7V
L
BB(off)
= 4.5
μ
H
2.5
0.3
3
0.6
μ
s
μ
s
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