型號: | MD2001FH |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-channel TrenchMOS logic level FET, SOT669 (LFPAK), Tape reel SMD |
中文描述: | 高壓晶體管NPN電源標準清晰度陰極射線管顯示器 |
文件頁數: | 4/8頁 |
文件大?。?/td> | 87K |
代理商: | MD2001FH |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MD2001FX | N-channel TrenchMOS logic level FET, SOT669 (LFPAK), Tape reel SMD |
MD2009DFX | High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display |
MD2009DFX_0610 | High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display |
MD2103DFH | High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MD2001FX | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MD2001FX_0708 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display |
MD2009DFP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High volt NPN power transistor CRT TV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MD2009DFX | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
MD2009DFX_0610 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display |