參數(shù)資料
型號： MD2103DFH
廠商： 意法半導體
英文描述： High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display
中文描述： 高壓npn型為標準清晰度陰極射線管顯示器功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/11頁
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代理商： MD2103DFH
MD2103DFH
Electrical ratings
3/11
1
Electrical ratings
Table 1.
Table 2.
Thermal data
Absolute maximum rating
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
Collector-emitter voltage (V
BE
=0)
1500
V
V
CEO
Collector-emitter voltage (I
B
=0)
700
V
V
EBO
Emitter-base voltage (I
C
=0)
7
V
I
C
Collector current
6
A
I
CM
Collector peak current (t
P
< 5ms)
9
A
I
B
Base current
3
A
P
tot
Total dissipation at T
c
≤
25°C
38
W
V
INS
Insulation withstand voltage (RMS) from all three leads to
external heatsink
2500
V
T
stg
Storage temperature
-65 to 150
°C
T
J
Max. operating junction temperature
150
°C
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
thj-case
Thermal resistance junction-case
__
max
3.3
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MD2103DFX High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display
MD2310FX High voltage NPN Power transistor for standard definition CRT display
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MD51V64160 4M×16 Dynamic RAM(4M×16動態(tài)RAM)
MD51V64400 16M×4 Dynamic RAM(16M×4動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
MD2103DFP 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MD2103DFX 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MD2114/BVA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MD2114A-5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MD2114A-5/B 制造商:Intel 功能描述: 制造商:INTELC 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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