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參數(shù)資料
| 型號： | MD51V64805 |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 8M×8 Dynamic RAM(8M×8動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 8米× 8動態(tài)RAM（8米× 8動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 5/15頁 |
| 文件大小： | 637K |
| 代理商： | MD51V64805 |
5/15
Semiconductor
MD51V64805
DC Characteristics
Notes :
1. I
CC
Max. is specified as I
CC
for output open condition.
2. The address can be changed once or less while
RAS
= V
IL
.
3. The address can be changed once or less while
CAS
= V
IH
.
Parameter
Symbol
Condition
MD51V64805
-60
MD51V64805
-50
(V
CC
= 3.3 V ±0.3 V, Ta = 0°C to 70°C)
I
OH
= –2.0 mA
I
OL
= 2.0 mA
0 V
￡
V
I
￡
V
CC
+ 0.3 V;
All other pins not
under test = 0 V
DQ disable
0 V
￡
V
O
￡
V
CC
Output High Voltage
Output Low Voltage
Input Leakage Current
Output Leakage Current
RAS
,
CAS
cycling,
t
RC
= Min.
Average Power
Supply Current
(Operating)
RAS
,
CAS
= V
IH
RAS
,
CAS
≥
V
CC
–0.2 V
Power Supply
Current (Standby)
RAS
cycling,
CAS
= V
IH
,
t
RC
= Min.
RAS
= V
IH
,
CAS
= V
IL
,
DQ = enable
Average Power
Supply Current
(
RAS
-only Refresh)
Power Supply
Current (Standby)
Average Power
Supply Current
(
CAS
before
RAS
Refresh)
Average Power
Supply Current
(Fast Page Mode)
CAS
before
RAS
RAS
= V
IL
,
CAS
cycling,
t
HPC
= Min.
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC5
I
CC6
I
CC7
Min.
2.4
0
–10
–10
—
—
—
—
—
—
—
Max.
V
CC
0.4
10
10
90
1
0.5
90
5
120
90
Min.
2.4
0
–10
–10
—
—
—
—
—
—
—
Max.
V
CC
0.4
10
10
100
1
0.5
100
5
140
100
Unit
V
V
m
A
m
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Note
1, 2
1
1, 2
1
1, 2
1, 3
RAS
cycling,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MD51V65160 | 4M×16 Dynamic RAM(4M×16動態(tài)RAM) |
| MD51V65400 | 16M×4 Dynamic RAM(16M×4動態(tài)RAM) |
| MD51V65405 | 16M×4 Dynamic RAM(16M×4動態(tài)RAM) |
| MD51V65800 | 8M×8 Dynamic RAM(8M×8動態(tài)RAM) |
| MD51V65805 | 8M×8 Dynamic RAM(8M×8動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MD51V65165 | 制造商:OKI 制造商全稱:OKI electronic componets 功能描述:4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO |
| MD51V65165-50 | 制造商:OK International 功能描述: |
| MD51V65165E-50TA03A7 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:NEW CALL OUT MD51V65165E-50TAZ |
| MD51V65165E-50TAZ0AR | 功能描述:IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| MD51V65165E-50TAZ0AT | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:RHOMD51V65165E-50TAZ0AT IC DRAM 4MX16 T |
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