參數(shù)資料
型號(hào)： MGB15N40CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(15A，410V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
中文描述： 點(diǎn)火IGBT15安培，410伏特，（第15A，410V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（采用D2PAK封裝））
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
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代理商： MGB15N40CL
MGP15N40CL, MGB15N40CL
http://onsemi.com
6
250
500
RG, EXTERNAL GATE RESISTANCE (
)
750
1000
VCC = 300 V
VGE = 5.0 V
TJ = 150
°
C
IC = 10 A
L = 300
μ
H
2
4
0
6
8
10
12
14
250
500
S
μ
S
Figure 13. Switching Speed vs. External Gate
Resistance
Figure 14. Switching Speed vs. External Gate
Resistance
S
μ
S
RG, EXTERNAL GATE RESISTANCE (
)
750
1000
VCC = 300 V
VGE = 5.0 V
TJ = 25
°
C
IC = 10 A
L = 300
μ
H
2
4
0
6
8
10
12
14
td(off)
tf
td(off)
tf
0.2
0.00001
0.001
0.0001
0.1
10
1
0.01
0.01
t,TIME (S)
R
°
C
Single Pulse
1
10
0.1
0.05
0.02
0.01
100
1000
Duty Cycle = 0.5
0.1
Figure 15. Transient Thermal Resistance
(Non–normalized Junction–to–Ambient mounted on
fixture in Figure 16)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT T1
TJ(pk) – TA = P(pk) R
θ
JA(t)
R
θ
JC
R(t) for t
≤
0.2 s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGB19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
MGP19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（TO-220封裝）)
MGP4N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGSF1P02LT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P-Channel(750mA，20V，P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MGSF2N02E 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
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參數(shù)描述
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