參數(shù)資料
型號： MGV075-08-0805-2
元件分類： 變容二極管
英文描述： KA BAND, 0.36 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 612K
代理商： MGV075-08-0805-2
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
7
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series,
Γ = 1.25±10%
Revision Date: 11/14/05
Packaged
Electrical Specifications, T
A = 25 °C
V
BR = 22 V min.
Model
I
R
CT
Tuning Ratio
Q
MIN
C
P
L
P
TYP
nH
Package
MAX
nA
MIN
pF
NOM
pF
MAX
pF
MIN
TYP
pF
MGV125-08-E28 / 28 X
100
0.32
0.38
0.44
2.5
3.9
6.5
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-08H20
100
0.41
0.48
0.56
0.7
2.4
4.1
4,000
0.18
0.5
H20
MGV125-08-P55
100
0.36
0.43
0.50
1.6
3.1
5.3
4,000
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0.35
P55
MGV125-08-0805-2
100
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0.36
0.42
2.9
4.1
7.0
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-09-E28 / 28 X
100
0.42
0.48
0.54
2.9
4.1
7.0
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-09-H20
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0.51
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1.6
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5.1
4,000
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0.5
H20
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3.8
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4,000
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P55
MGV125-20-0805-2
100
0.50
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3.4
4.5
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4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-21-E28 / 28 X
100
0.70
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0.86
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4,000
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0.4
E28 / 28X
MGV125-21-H20
100
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3.8
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0.5
H20
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100
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E28 / 28X
MGV125-22-H20
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H20
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P55
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3,000
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0.4
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H20
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1.47
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3,000
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P55
MGV125-23-0805-2
100
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3,000
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3,000
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0.4
E28 / 28X
MGV125-24-H20
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1.86
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3,000
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H20
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100
1.46
1.63
1.80
3.6
4.6
9.2
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-24-0805-2
100
1.40
1.56
1.72
3.8
4.8
9.6
3,000
0.06
0.4
0805-2
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100
1.70
1.78
1.96
3.8
4.8
9.6
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-25-H20
100
1.79
1.88
2.08
3.5
4.5
9.0
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0.5
H20
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1.74
1.83
2.02
3.6
4.7
9.3
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-25-0805-2
100
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MGV125-26-E28 / 28 X
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3.8
4.9
9.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
Test Conditions
V
R =
18 V
V
R = 4 V
F = 1 MHz
V
R = 2 to 12
V
R =
2 to 20
V
R = 4 V
F = 50
MHz
F = 1 GHz
相關PDF資料
PDF描述
MGV075-08-E28X KA BAND, 0.38 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV100-21-P55 KA BAND, 0.78 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV100-24-E28X KA BAND, 1.28 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV100-09-0805-2 KA BAND, 0.51 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV125-24 KA BAND, 1.5 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MGV-10.25B 制造商:Mencom 功能描述:
MGV1004100M-10 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 36.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:36.5 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1
MGV10041R0M-10 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:17.5A 電流 - 飽和值:36A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.1 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1
MGV10041R5M-10 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 15A 5.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:15A 電流 - 飽和值:27.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:5.8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:2,000
MGV10042R2M-10 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 12A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:12A 電流 - 飽和值:25.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1
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