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參數(shù)資料
| 型號： | MHPM7A5S120DC3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Hybrid Power Module |
| 中文描述： | 5 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE 464D-01, POWER MODULE-24 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 165K |
| 代理商： | MHPM7A5S120DC3 |
2
Motorola IGBT Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TJ = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DC AND SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Input Rectifier Forward Voltage (IF = 5.0 A)
Gate–Emitter Leakage Current (VCE = 0 V, VGE =
±
20 V)
Collector–Emitter Leakage Current (VCE = 1200 V, VGE = 0 V)
Gate–Emitter Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1.0 mA)
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 mA, VGE = 0 V)
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = ICmax, VGE = 15 V)
Free–Wheeling Diode Forward Voltage (IF = IF80, VGE = 0 V)
Input Capacitance (VGE = 0 V, VCE = 25 V, f = 1.0 MHz)
Input Gate Charge (VCE = 600 V, IC = ICmax, VGE = 15 V)
VF
IGES
ICES
VGE(th)
V(BR)CES
VCE(sat)
VF
Cies
QT
—
0.92
1.09
V
—
—
±
20
A
—
5.0
100
A
4.0
6.0
8.0
V
1200
—
—
V
—
2.5
3.5
V
1.7
2.0
2.5
V
—
930
—
pF
—
31
—
nC
THERMAL CHARACTERISTICS, EACH DIE
Thermal Resistance — IGBT
RJC
RJC
RJC
—
2.1
2.8
°
C/W
Thermal Resistance — Free–Wheeling (Fast Soft) Diode
—
5.0
6.6
°
C/W
Thermal Resistance — Input Rectifier
—
3.2
4.2
°
C/W
TEMPERATURE SENSE DIODE
Forward Voltage (@ IF = 1.0 mA)
Forward Voltage Temperature Coefficient (@ IF = 1.0 mA)
VF
1.983
2.024
2.066
V
TCVF
—
–8.64
—
mV/
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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