參數(shù)資料
型號： MHV5IC2215NR2
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 595K
代理商： MHV5IC2215NR2
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MHV5IC2215NR2
TYPICAL CHARACTERISTICS
190
1.E+07
90
1st Stage
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
2nd Stage
100
110
120
130
140
150
160
170
180
1.E+05
1.E+04
1.E+06
Figure 10. MTTF Factor versus Junction Temperature
M
2
)
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PDF描述
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