參數(shù)資料
型號: MJ11021
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述: POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
中文描述: 功率晶體管(第15A ,150 - 250V,175W的)
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 235K
代理商: MJ11021
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO–204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
MIN
1.550 REF
–––
0.250
0.038
0.055
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.665 BSC
–––
0.151
1.187 BSC
0.131
MAX
MIN
39.37 REF
–––
6.35
0.97
1.40
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
16.89 BSC
–––
3.84
30.15 BSC
3.33
MAX
MILLIMETERS
INCHES
1.050
0.335
0.043
0.070
26.67
8.51
1.09
1.77
0.480
12.19
0.830
0.165
21.08
4.19
0.188
4.77
A
N
E
C
K
–T–
SEATING
2 PL
0.13 (0.005)
D
M
Q
M
Y
M
T
M
Y
M
0.13 (0.005)
T
–Q–
–Y–
2
1
U
L
G
B
V
H
CASE 1–07
TO–204AA (TO–3)
ISSUE Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ11022 POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
MJ11030 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
MJ11032 Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators
MJ11032 COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
MJ11030 4 Pin, MFP, Pin Pitch 1.27mm, Photdarlington Detector, CTR 600 min @ 1mA, 2V Optocoupler
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ11021_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Silicon Power Transistors
MJ11021_08 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Silicon Power Transistors
MJ11021G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 30A 250V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11021G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MJ11022 功能描述:TRANS DARL NPN 15A 250V TO-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR