參數(shù)資料
型號： MJ11028
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
中文描述： 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： MJ11028
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
Curves to 100 A (Pulsed)
Diode Protection to Rated IC
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
ICM
100
Base Current — Continuous
Peak
IB
PD
2
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25 C
300
Watts
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
3.0 k
≈
25
PNP
MJ11029
MJ11031
MJ11033
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
3.0 k
≈
25
NPN
MJ11028
MJ11030
MJ11032
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ11028/D
50 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
60–120 VOLTS
300 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 197A–05
TO–204AE (TO–3)
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PDF描述
MJ11029 COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
MJ11028 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
MJ11029 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
MJ11032 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
MJ11032 COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR
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