參數(shù)資料
型號： MJ15012
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS
中文描述： 10 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： MJ15012
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
(VCE = 200 Vdc)
Collector Cutoff Current
ICEX
—
500
μ
Adc
(IC = 2 Adc, VCE = 2 Vdc)
(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc)
20
100
Base–Emitter On Voltage
(IC = 4 Adc, VCE = 2 Vdc)
—
—
2 5
2
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
Cob
—
750
pF
(VCE = 40 Vdc, t = 0.5 s)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
s, Duty Cycle
5
1.4
—
—
2%.
I
5
Figure 1. DC Current Gain
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Active Region Safe Operating Area
20
30
300
10
2
15
100
150
50
70
1
0.5
0.1
0.2
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT @ TC = 25
°
C
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMIT
dc
200
1
2
5
10
0.1
0.2
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT
h
VCE = 2 Vdc
50
100
20
10
5
2
200
MJ15011
MJ15012
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PDF描述
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MJ15020 4.0 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 150 WATTS
MJ15021 4.0 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 150 WATTS
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參數(shù)描述
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MJ15015 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 120V 180W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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