參數(shù)資料
型號： MJD122-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)功率達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： MJD122-1
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
θ
°
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2
*IC/IB
≤
hFE/3
0.1
–55
°
C to 25
°
C
1
2
3
10
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
+0.4
,
I
μ
103
102
101
100
–0.2 –0.4
–0.6
TJ = 150
°
C
100
°
C
REVERSE
FORWARD
25
°
C
VCE = 30 V
105
+0.6
+0.2
–0.8
–1
–1.2 –1.4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
,
I
μ
103
102
101
100
105
+5
–5
θ
VB for VBE
25
°
C to 150
°
C
θ
VC for VCE(sat)
Figure 5. Temperature Coefficients
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
30
1
5
20
100
TJ = 25
°
C
300
50
70
100
0.1
2
10
50
PNP
NPN
0.5
0.2
Figure 6. Collector Cut–Off Region
Figure 7. Small–Signal Current Gain
1
f, FREQUENCY (kHz)
100
2
10
500
300
5000
3000
2000
TC = 25
°
C
VCE = 4 Vdc
IC = 3 Adc
5
50
20
100
10,000
200
200
500
1000
PNP MJD127
NPN MJD122
–4
–3
–2
–1
0
+4
+3
+2
+1
0.5
0.3
7
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2
0.1
1
2
3
0.5
0.3
7
5
1000
10
50
30
20
PNP
NPN
200
Figure 8. Capacitance
θ
°
+5
–5
–4
–3
–2
–1
0
+4
+3
+2
+1
0.7
10
0
–0.4
+0.2
+0.4 +0.6
–0.6
–0.2
+0.8
+1
+1.2 +1.4
h
C
–55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
*IC/IB
≤
hFE/3
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
*
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE
REVERSE
FORWARD
VCE = 30 V
TJ = 150
°
C
100
°
C
25
°
C
Cob
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD122T4 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD122 Complementary Darlington Power Transistors
MJD122-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
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