參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122-1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251AA
封裝： TO-251, IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： MJD122-1
Electrical ratings
MJD122
2/9
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum rating
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO Collector-base voltage (IE = 0)
100
V
VCEO Collector-base voltage (IB = 0)
100
V
VEBO Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
8
A
ICM
Collector peak current
16
A
IB
Base current
0.12
A
PTOT
Total dissipation at Tcase = 25°C
Total dissipation at Tamb = 25°C
20
1.75
W
Tstg
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MJD127-1 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD122T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
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