參數資料
型號: MJD122-I
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: IPAK-3
文件頁數: 3/5頁
文件大小: 51K
代理商: MJD122-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD122
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料
PDF描述
MJD1222 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD122 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD127-T1 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD127-1 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD127-TP POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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MJD122T4G 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
MJD122T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
MJD122TF 功能描述:達林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel