參數(shù)資料
型號(hào)： MJD1222
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD1222
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD122
2
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
01234
5
0
1
2
3
4
5
IB = 0
225A
250
A
275A
200
A
IB =300
A
IB = 175
A
I C
[A
],
CO
L
E
C
T
O
R
CURRE
NT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1000
10000
VCE = 2V
h
FE
,DC
CURRENT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
IC = 500IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t),
V
CE
(s
a
t)[V
],
S
A
TU
R
A
T
IO
N
V
O
L
T
A
G
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
0
1
2
3
4
VCE=2V
I C
[A],
COL
L
ECT
O
R
C
URRENT
VBE[V], BASE EMITTER VOLTAGE
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V
CE
O
MA
X
.
1ms
IC MAX. (DC)
DC
10ms
IC MAX. (PULSE)
I C
[A
],
CO
LLE
CT
O
R
CURR
E
N
T
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[W
],
PO
WER
DI
SSI
PAT
IO
N
TC[
oC], CASE TEMPERATURE
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