參數(shù)資料
型號(hào)： MJD127-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)功率達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： MJD127-1
1/8
August 2002
MJD122-1 / MJD122T4
MJD127-1 / MJD127T4
COMPLEMENTARY POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
I
STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
I
LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS
I
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
I
THROUGH HOLE TO-251 (IPAK)
POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1”)
I
SURFACE MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX “T4”)
I
ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP122 AND
TIP127
APPLICATIONS:
I
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
DESCRIPTION
The MJD122 and MJD127 form complementary
NPN - PNP pair. They are manufactured using
Epitaxial Base technology for cost-effective
performance.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
For PNP types voltage and current values are negative.
Ordering
Code
Marking
Package
Shipment
MJD122T4
MJD122-1
MJD127T4
MJD127-1
MJD122
MJD122
MJD127
MJD127
TO-252 (DPAK)
TO-251 (IPAK)
TO-252 (DPAK)
TO-251 (IPAK)
Tape & Reel
Tube
Tape & Reel
Tube
Parameter
Value
MJD122
MJD127
100
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
V
100
V
5
V
Collector Current
5
A
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
8
A
Base Current
Total Dissipation at T
c
= 25
°
C
0.1
A
20
W
Storage Temperature
–65 to 150
°
C
°
C
T
j
Max. Operating Junction Temperature
150
3
2
1
1
3
TO-252
DPAK
(Suffix ”T4”)
TO-251
IPAK
(Suffix ”-1”)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
R
1
Typ. = 10 K
R
2
Typ. = 150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD127T4 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD127 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD127-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD127G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127-TP 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*