參數(shù)資料
型號： MJD127
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP (D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS)
中文描述： 進步黨（深為表面安裝應用包）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 91K
代理商： MJD127
3/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
Base-Emitter Saturation Voltage (PNP type)
Base-Emitter Saturation Voltage (NPN type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (PNP type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (NPN type)
Safe Operating Area
Derating Curve
相關PDF資料
PDF描述
MJD47 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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MJD47-1 NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD47 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD127T4G 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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