參數(shù)資料
型號(hào)： MJD3055-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD3055-1
Complementary Power
Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves
(“–1” Suffix)
Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4”
Suffix)
Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055
DC Current Gain Specified to 10 Amperes
High Current Gain–Bandwidth Product —
fT = 2.0 MHz (Min) @ IC
= 500 mAdc
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
70
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5
Vdc
Collector Current
IC
10
Adc
Base Current
IB
6
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
20
0.16
Watts
W/
_C
Total Power Dissipation (1) @ TA = 25_C
Derate above 25
_C
PD
1.75
0.014
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
6.25
_C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)
RθJA
71.4
_C/W
(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
Safe Area Curves are indicated by Figure 1. Both limits are applicable and must be observed.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
November, 2001 – Rev. 5
1
Publication Order Number:
MJD2955/D
MJD2955
MJD3055
CASE 369A–13
SILICON
POWER TRANSISTORS
10 AMPERES
60 VOLTS
20 WATTS
CASE 369–07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
PNP
NPN
0.243 6.172
0.063 1.6
0.1
18
3.0
0.100 2.54
0.165 4.191
0.190 4.826
inches
mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD2955-1 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29CTF 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD29CI 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD31C-1 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-1 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD3055G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD30CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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