參數(shù)資料
型號： MJD31C
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Power Transistors(補(bǔ)償型功率晶體管)
中文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： MJD31C
MJD31, MJD31C (NPN), MJD32, MJD32C (PNP)
http://onsemi.com
2
2. f
T
=
h
fe
f
test
.
(T
C
= 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Max
Unit
MJD31C, MJD32C
100
(V
= 40 Vdc, I
= 0)
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
MJD31, MJD32
MJD31C, MJD32C
(V
CE
= Rated V
CEO
, V
EB
= 0)
DC Current Gain
C
CE
h
FE
CollectorEmitter Saturation Voltage
CE(sat)
BaseEmitter On Voltage
C
CE
V
BE(on)
1.8
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f
test
= 1 MHz)
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PDF描述
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參數(shù)描述
MJD31C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C-1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-252VAR
MJD31C-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 5A NPN SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 100V IPAK-4
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