- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371114 > MJD32C (MOTOROLA INC) SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJD32C |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| 中文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 205K |
| 代理商： | MJD32C |
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
MAXIMUM RATINGS
MJD31
MJD31C
Derate above 25 C
0.12
W/ C
Derate above 25 C
0.012
W/ C
Operating and Storage Junction
TJ, Tstg
–65 to +150
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
TL
Max
8.3
Unit
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
80
C/W
Lead Temperature for Soldering Purposes
260
C
* These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MJD31/D
CASE 369A–13
SILICON
POWER TRANSISTORS
3 AMPERES
40 AND 100 VOLTS
15 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 369–07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0
6
0
1
0
3
0
1
0
4
0
4
inches
mm
REV 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31-1 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| MJD31T4 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| MJD32 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| MJD32-1 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| MJD32T4 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD32C1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C-13 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CQ-13 | 功能描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A，4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:3MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。