參數(shù)資料
型號： MJD47
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： MJD47
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
8.33
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwisespecified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(on)
Base-Emitter On
Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 350 V
0.1
mA
I
CEO
V
CE
= 150 V
0.1
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 30 mA
250
V
I
C
= 1 A
I
B
= 0.2 A
1
V
I
C
= 1 A
V
CE
= 10 V
1.5
V
I
C
= 0.3 A
I
C
= 1 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
30
10
150
f
T
Transition Frequency
I
C
= 0.2 A
V
CE
= 10 V
f = 2MHz
10
MHz
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 0.2 A
V
CE
= 10 V
f = 1KHz
25
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
SafeOperating Area
Derating Curves
MJD47
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