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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE16002BA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 64/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 502K |
| 代理商： | MJE16002BA |
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MJE16002 MJE16004
3–695
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
H.P. 214
or Equiv.
P.G.
≈ –35 V
0
50
500
0.02
F
1.0
F
100
2N5337
RB1
RB2
A
2N6191
+V
≈ 11 V
100
0.02
F
20
+
–
10
F
T1
+V
–V
0 V
A
*IB
*IC
T.U.T.
L
VCC
Vclamp
MR856
VCE
IC
IB
IB1
IB2
IC(pk)
VCE(pk)
Scope — Tektronix
7403 or
Equivalent
T1 [
Lcoil (ICpk)
VCC
Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.
T1 adjusted to obtain IC(pk)
VCEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
Inductive Switching
L = 200
H
RB2 = 0
VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1
RBSOA
L = 200
H
RB2 = 0
VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1
*Tektronix
*P–6042 or
*Equivalent
–V
50
+–
Table 2. Inductive Load Switching
tsv
tfi, tc
IC(pk) = 3.0 Amps
IB1 = 0.3 Amp
VBE(off) = 5.0 Volts
VCE(pk) = 300 Volts
TC = 25°C
Time Base =
20 ns/cm
IC(pk) = 3.0 Amps
IB1 = 0.3 Amp
VBE(off) = 5.0 Volts
VCE(pk) = 300 Volts
TC = 25°C
Time Base =
20 ns/cm
TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING WAVEFORMS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MJE16004AS | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16004BG | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16002DW | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MJE16204 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-220 |
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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