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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE16004DW |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 502K |
| 代理商： | MJE16004DW |
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MJE16002 MJE16004
3–690
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
SWITCHING CHARACTERISTICS (continued)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Inductive Load (Table 2)
MJE16002
Storage Time
tsv
—
500
1600
ns
Fall Time
(IC =3 0Adc
(TJ = 100_C)
tfi
—
100
200
Crossover Time
(IC = 3.0 Adc,
IB1 = 0.4 Adc,
tc
—
120
250
Storage Time
B1
VBE(off) = 5.0 Vdc,
VCE(pk) = 400 Vdc)
tsv
—
600
—
Fall Time
VCE(pk) = 400 Vdc)
(TJ = 150_C)
tfi
—
120
—
Crossover Time
tc
—
160
—
Inductive Load (Table 2)
MJE16004
Storage Time
tsv
—
400
1300
ns
Fall Time
(IC =3 0Adc
(TJ = 100_C)
tfi
—
80
150
Crossover Time
(IC = 3.0 Adc,
IB1 = 0.3 Adc,
tc
—
90
200
Storage Time
B1
VBE(off) = 5.0 Vdc,
VCE(pk) = 400 Vdc)
tsv
—
450
—
Fall Time
VCE(pk) = 400 Vdc)
(TJ = 150_C)
tfi
—
100
—
Crossover Time
tc
—
110
—
(1) Pulse Test: PW = 300
s, Duty Cycle v 2%.
*
βf =
IC
IB1
V
CE
,C
OLLE
CT
OR–EMI
TT
ER
V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
V
BE
,BASE–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3.0
2.0
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.05
0.1
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3.0
0.3
0.7
5.0
10
Figure 2. Collector Saturation Region
0.1
IB, BASE CURRENT (AMPS)
0.2
0.3
0.1
60
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
VCE = 5.0 V
0.5 0.7 1.0
2.0
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Region
Figure 4. Base–Emitter Voltage
2.0
0.3
TJ = 25°C
TJ = 100°C
20
0.5
2.0
1.0
0.07
0.03
0.3
0.5
25
°C
–55
°C
2 A
IC = 1 A
5.0
0.2
1.0
3.0
7.0
3.0
0.1
2.0
10
0.5
0.2
1.0
5.0
0.7
1.5
50
30
7.0
0.5
0.7
0.2
0.05
βf = 10
TJ = 100°C
2.0
0.1
3.0
0.2
5.0
0.5
0.1
2.0
10
0.5
0.2
1.0
5.0
3 A
4 A
5 A
βf = 10
TJ = 25°C
βf = 5
TJ = 25°C
βf = 5
TJ = 25°C
βf = 10
TJ = 100°C
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| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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