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參數(shù)資料
| 型號： | MJE16106 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 221A-06, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/65頁 |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | MJE16106 |
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MJE16106
3–697
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS (1)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 1)
(IC = 20 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus)
400
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 650 Vdc, VBE(off) = 1.5 V)
(VCE = 650 Vdc, VBE(off) = 1.5 V, TC = 100_C)
ICEV
—
—
100
1000
Adc
Collector Cutoff Current
(VCE = 650 Vdc, RBE = 50 , TC = 100_C)
ICER
—
—
1000
Adc
Emitter–Base Leakage
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
—
10
Adc
ON CHARACTERISTICS (1)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 2.5 Adc, IB = 0.25 Adc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100_C)
VCE(sat)
—
0.2
0.4
0.2
0.3
0.9
2.0
1.0
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100_C)
VBE(sat)
—
0.9
0.8
1.5
Vdc
DC Current Gain
(IC = 8.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
6
13
22
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Dynamic Saturation
VCE(dsat)
See Figures 11, 12, and 13
V
Output Capacitance
(VCE = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1.0 kHz)
Cob
—
—
300
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Inductive Load (Table 1)
Storage
tsv
—
950
2000
ns
Crossover
TJ = 25_C
tc
—
45
150
Fall Time
IC = 5.0 A, IB1 = 0.5 A,
VBE( ff) =5V
tfi
—
20
75
Storage
VBE(off) = 5 V,
VCE(pk) = 250 V
tsv
—
1300
2600
Crossover
CE( k)
TJ = 100_C
tc
—
65
200
Fall Time
tfi
—
30
125
Resistive Load (Table 2)
Delay Time
td
—
30
—
ns
Rise Time
IC =50A IB1 =0 5A
IB2 =1 0A
tr
—
200
—
Storage Time
IC = 5.0 A, IB1 = 0.5 A,
VCC = 250 V,
IB2 = 1.0 A
ts
—
1800
—
Fall Time
CC
PW = 30
s,
Duty Cycle =
v 20%
tf
—
100
—
Storage Time
Duty Cycle =
v 2.0%
VBE(off) =5V
ts
—
1200
—
Fall Time
VBE(off) = 5 V
tf
—
70
—
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
s, Duty Cycle v 2.0%.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MJE16106AU | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE16204 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-220 |
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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