參數(shù)資料
型號(hào)： MJE172
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP (LOW FREQUENCY AMPLIFIER)
中文描述： 進(jìn)步黨（低頻放大器）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： MJE172
MJE172
MJE182
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The MJE172 (PNP type) and MJE182 (NPN type)
are silicon epitaxial planar, complementary
transistors in Jedec SOT-32 plastic package, they
are designed for low power audio amplifier and
low current, high speed switching applications.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
September 1998
3
21
SOT-32
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
MJE182
MJE172
80
100
7
3
6
1
12.5
Unit
NPN
PNP
80
100
7
3
6
1
12.5
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Base-Emitter Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
≤
25
o
C
V
V
V
A
A
A
W
1/4
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