參數(shù)資料
型號： MJE18002
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
中文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： MJE18002
7
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.01
0.10
1.00
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
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100.00
1000.00
10000.00
100000.00
t, TIME (ms)
r
t, TIME (ms)
r
SINGLE PULSE
0.02
0.2
0.5
0.1
0.1
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.2
0.5
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC =
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t1
t2
P(pk)
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC =
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t1
t2
P(pk)
TYPICAL THERMAL RESPONSE
Figure 20. Typical Thermal Response (Z
θ
JC(t)) for MJE18002
Figure 21. Typical Thermal Response (Z
θ
JC(t)) for MJF18002
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18002D2 POWER TRANSISTORS
MJE18002 POWER TRANSISTOR 2.0 AMPERES 1000 VOLTS 25 and 50 WATTS
MJE18002D2 POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 1000 VOLTS 50 WATTS
MJF18004 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 1000 VOLTS 35 and 75 WATTS
MJF18004 POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJE18004 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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