參數(shù)資料
型號： MJE210
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Feature
中文描述： 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： MJE210
THERMAL DATA
R
thj-amb
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Junction-case Max
83.4
8.34
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= -40 V
V
CB
= -40 V T
CASE =
125
o
C
-100
-100
nA
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
EB
= -8 V
-100
nA
V
CEO(sus)
I
C
= -10 mA
-25
V
V
CE(sat)
I
C
= -0.5 A I
B
= -50 mA
I
C
= -2 A I
B
= -0.2 A
I
C
= -5 A I
B
= -1 A
-0.3
-0.75
-1.8
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter on
Voltage
I
C
= -5 A I
B
= -1 A
-2.5
V
V
BE
Base-Emitter on
Voltage
I
C
=- 2 A V
CE
= -1 V
-1.6
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= -0.5 A V
CE
= -1 V
I
C
= -2 A V
CE
= -1 V
I
C
= -5 A V
CE
= -2 V
70
45
10
180
f
T
Transistor Frequency
I
C
= 0.1 A V
CE
= 10 V
f = 10 MHz
V
CB
= -10 V I
E
= 0 f = 0.1 MHz
65
MHz
C
CBO
Collector-base
Capacitance
120
pF
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
MJE210
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE210 PNP (COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE LOW COLLECTOR-EMITTER)
MJE3055T COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE3055 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE3055T 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 75 WATTS
MJE3055T COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE210_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP TRANSISTOR
MJE210G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE210STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE210T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE210TG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*