參數(shù)資料
型號： MJE3055
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： General Purpose and Switching Applications
中文描述： 通用和交換應(yīng)用
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： MJE3055
DIM.
mm
TYP.
1.27
16.4
inch
TYP.
0.050
0.645
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
MJE2955T / MJE3055T
3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE3055T NPN (GENERAL PURPOSE AND SWITCHING APPLICATIONS)
MJE3055 NPN (GENERAL PURPOSE AND SWITCHING APPLICATIONS)
MJE3055T SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
MJE3055 SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
MJE340 COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE3055T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE3055T 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220
MJE3055T_09 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MJE3055TG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE3055TG-TA3-T 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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