參數(shù)資料
型號： MJE3055
廠商： 永盛國際集團(tuán)
英文描述： SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 65K
代理商： MJE3055
DIM.
mm
TYP.
1.27
16.4
inch
TYP.
0.050
0.645
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
MJE2955T / MJE3055T
3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MJE5852 HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE3055T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE3055T 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220
MJE3055T_09 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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MJE3055TG-TA3-T 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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