參數(shù)資料
型號： MJE5852AS
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 26/63頁
文件大?。?/td> 445K
代理商： MJE5852AS
Outline Dimensions and Leadform Options
5–8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BV
LEADFORM BU
LEADFORM BD
LEADFORM DW
UNDERSIDE
OF LEAD
MOUNTING
SURFACE
.094
± .01 .005 ±.005
.102
± .003
0.005
± 0.005
.223
± .010
.20 REF.
.100 REF.
0.102
± 0.005
0.680
± 0.005
.735
± .010
.610
± .010
.680
±.005
.800
± .050
3 LEADS
相關PDF資料
PDF描述
MJE5850AS 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5851BS 8 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5852BS 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5850BG 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5851DW 8 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJE5852G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 400V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE6040 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
MJE6041 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
MJE6043 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
MJE6044 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
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