TSTG Storage temperature" />
參數(shù)資料
型號： MK20DX256ZVMD10
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 3/75頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ARM CORTEX MCU 256KB 144BGA
標準包裝： 160
系列： Kinetis
核心處理器： ARM? Cortex?-M4
芯體尺寸： 32-位
速度： 100MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，I²C，IrDA，SDHC，SPI，UART/USART，USB，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 100
程序存儲器容量： 256KB（256K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 64K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.71 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 33x16b，D/A 2x12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 105°C
封裝/外殼： 144-LBGA
包裝： 托盤
4 Ratings
4.1 Thermal handling ratings
Symbol
Description
Min.
Max.
Unit
Notes
TSTG
Storage temperature
–55
150
°C
TSDR
Solder temperature, lead-free
—
260
°C
Solder temperature, leaded
—
245
1. Determined according to JEDEC Standard JESD22-A103, High Temperature Storage Life.
2. Determined according to IPC/JEDEC Standard J-STD-020, Moisture/Reflow Sensitivity Classification for Nonhermetic
Solid State Surface Mount Devices.
4.2 Moisture handling ratings
Symbol
Description
Min.
Max.
Unit
Notes
MSL
Moisture sensitivity level
—
3
—
1. Determined according to IPC/JEDEC Standard J-STD-020, Moisture/Reflow Sensitivity Classification for Nonhermetic
Solid State Surface Mount Devices.
4.3 ESD handling ratings
Symbol
Description
Min.
Max.
Unit
Notes
VHBM
Electrostatic discharge voltage, human body model
-2000
+2000
V
VCDM
Electrostatic discharge voltage, charged-device model
-500
+500
V
ILAT
Latch-up current at ambient temperature of 105°C
-100
+100
mA
1. Determined according to JEDEC Standard JESD22-A114, Electrostatic Discharge (ESD) Sensitivity Testing Human Body
Model (HBM).
2. Determined according to JEDEC Standard JESD22-C101, Field-Induced Charged-Device Model Test Method for
Electrostatic-Discharge-Withstand Thresholds of Microelectronic Components.
3. Determined according to JEDEC Standard JESD78, IC Latch-Up Test.
4.4 Voltage and current operating ratings
Ratings
K20 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 7, 02/2013.
Freescale Semiconductor, Inc.
11
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PDF描述
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