參數(shù)資料
型號(hào)： MM3Z2V7ST3G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 2.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： 0.067 X 0.049 INCH, 0.035 INCH HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 477-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： MM3Z2V7ST3G
MM3Z2V4ST1 SERIES
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25°C unless otherwise noted,
VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA for all types)
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IZK
Reverse Current
ZZK
Maximum Zener Impedance @ IZK
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
QVZ
Maximum Temperature Coefficient of VZ
C
Max. Capacitance @VR = 0 and f = 1 MHz
Zener Voltage Regulator
IF
V
I
IR
IZT
VR
VZ
VF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VF = 0.9 Max @ IF = 10 mA for all types)
Device*
Device
Marking
Test
Current
Izt mA
Zener Voltage VZ
ZZK IZ
= 0.5
mA
W
Max
ZZT
IZ = IZT
@ 10%
Mod
W
Max
IR @ VR
dVZ/dt (mV/k)
@ IZT1 = 5 mA
C pF Max @
VR = 0
f = 1 MHz
Min
Max
mA
V
Min
Max
MM3Z2V4ST1, G
T2
5.0
2.43
2.63
1000
100
120
1.0
3.5
0
450
MM3Z2V7ST1, G
T3
5.0
2.67
2.91
1000
100
1.0
3.5
0
450
MM3Z3V3ST1, G
T5
5.0
3.32
3.53
1000
95
5.0
1.0
3.5
0
450
MM3Z3V3TT1, G
TX
5.0
3.19
3.41
100
95
5.0
1.0
3.5
0
450
MM3Z3V6ST1, G
T6
5.0
3.60
3.85
1000
90
5.0
1.0
3.5
0
450
MM3Z3V9ST1, G
T7
5.0
3.89
4.16
1000
90
3.0
1.0
3.5
2.5
450
MM3Z4V3ST1, G
T8
5.0
4.17
4.43
1000
90
3.0
1.0
3.5
0
450
MM3Z4V7ST1, G
T9
5.0
4.55
4.75
800
80
3.0
2.0
3.5
0.2
260
MM3Z5V1ST1, G
TA
5.0
4.98
5.2
500
60
2.0
2.7
1.2
225
MM3Z5V6ST1, G
TC
5.0
5.49
5.73
200
40
1.0
2.0
2.5
200
MM3Z6V2ST1, G
TE
5.0
6.06
6.33
100
10
3.0
4.0
0.4
3.7
185
MM3Z6V8ST1, G
TF
5.0
6.65
6.93
160
15
2.0
4.0
1.2
4.5
155
MM3Z7V5ST1, G
TG
5.0
7.28
7.6
160
15
1.0
5.0
2.5
5.3
140
MM3Z8V2ST1, G
TH
5.0
8.02
8.36
160
15
0.7
5.0
3.2
6.2
1358
MM3Z9V1ST1, G
TK
5.0
8.85
9.23
160
15
0.5
6.0
3.8
7.0
130
MM3Z10VST1, G
WB
5.0
9.80
10.20
160
15
0.5
6.0
4.5
8.0
130
MM3Z11VST1, G
WC
5.0
10.78
11.22
160
15
0.5
7.0
5.4
9.0
130
MM3Z12VST1, G
TN
5.0
11.74
12.24
80
25
0.1
8.0
6.0
10
130
MM3Z15VST1, G
TP
5.0
14.34
14.98
80
40
0.1
11
8.8
12.7
130
MM3Z16VST1, G
TU
5.0
15.85
16.51
80
40
0.05
11.2
10.4
14
105
MM3Z18VST1, G
TW
5.0
17.56
18.35
80
45
0.05
12.6
12.4
16
100
*The “G’’ suffix indicates PbFree package available.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MM5Z2V7ST1G 2.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM5Z3V9ST1G 3.9 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM5Z3V3ST1G 3.3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM5Z16VST1G 16 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM5Z30VT1G 30 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MM3Z2V7T1 功能描述:穩(wěn)壓二極管 2.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MM3Z2V7T1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 2.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MM3Z30 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MM3Z30 RR 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOD323-F;ZENER 500MW 5% 30V
MM3Z30B 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:ZENER DIODES
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