參數(shù)資料
型號: MMBF5484LT3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝: PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 34/38頁
文件大?。?/td> 467K
代理商: MMBF5484LT3
MMBF5484LT1
4–177
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 10. S11s
Figure 11. S12s
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Figure 12. S21s
Figure 13. S22s
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS
S–PARAMETERS
(VDS = 15 Vdc, Tchannel = 25°C, Data Points in MHz)
相關PDF資料
PDF描述
MMBF5486LT1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBF5485_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5486 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5486_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5486_S00Z 功能描述:射頻JFET晶體管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel