型號: | MMBT2369ALT3G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封裝: | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/25頁 |
文件大?。?/td> | 416K |
代理商: | MMBT2369ALT3G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBT2484LT3 | 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT3640LT3 | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3906WT3 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3904WT3 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT2369-G | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
MMBT2369L | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors |
MMBT2369LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2369LT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switching Transistors NPN Silicon |
MMBT2369LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |