參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2369LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 21/25頁(yè)
文件大?。?/td> 416K
代理商： MMBT2369LT3
MMBT2369LT1 MMBT2369ALT1
2–312
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
h
FE
,MINIMUM
DC
CURRENT
GAIN
V
(sat)
,SA
T
U
RA
TION
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
COEFFICIENT
(mV/
C)°
200
100
20
50
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. Minimum Current Gain Characteristics
VCE = 1 V
TJ = 125°C
75
°C
25
°C
–15
°C
–55
°C
TJ = 25°C and 75°C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Saturation Voltage Limits
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0
1020
30
4050
6070
80
90
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Typical Temperature Coefficients
βF = 10
TJ = 25°C
MAX VBE(sat)
MIN VBE(sat)
MAX VCE(sat)
(25
°C to 125°C)
(–55
°C to +25°C)
(–55
°C to +25°C)
(25
°C to 125°C)
θVC for VCE(sat)
θVB for VBE(sat)
–55
°C to +25°C25°C to 125°C
θVC
±0.15 mV/°C
θVB
±0.4 mV/°C
±0.3 mV/°C
APPROXIMATE DEVIATION
FROM NOMINAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369ALT3G 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2484LT3 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3640LT3 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906WT3 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT-2369-TR 制造商:Taitron Components Inc 功能描述:
MMBT2484 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2484_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2484LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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