型號(hào): | MMBT3904WT1 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
中文描述: | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大小: | 58K |
代理商: | MMBT3904WT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBT3904 | NPN General Purpose Amplifier |
MMBT3904 | NPN Silicon Switching Transistor |
MMBT3904W | Mini size of Discrete semiconductor elements |
MMBT3904 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
MMBT3904 | General Purpose Transistor (NPN) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT3904WT1_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
MMBT3904WT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT3904WT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
MMBT3904WT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMBT3906 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |