參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3906WT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 18/29頁
文件大小： 485K
代理商： MMBT3906WT3
8–5
Package Outline Dimensions
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
H
S
F
A
B
D
G
L
4
12
3
0.08 (0003)
C
M
K
J
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
0.249
0.263
6.30
6.70
INCHES
B
0.130
0.145
3.30
3.70
C
0.060
0.068
1.50
1.75
D
0.024
0.035
0.60
0.89
F
0.115
0.126
2.90
3.20
G
0.087
0.094
2.20
2.40
H
0.0008
0.0040
0.020
0.100
J
0.009
0.014
0.24
0.35
K
0.060
0.078
1.50
2.00
L
0.033
0.041
0.85
1.05
M
0
10
0
10
S
0.264
0.287
6.70
7.30
NOTES:
3.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
4.
CONTROLLING DIMENSION: INCH.
__
_
CASE 318E–04
SOT–223
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
STYLE 3:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
STYLE 2:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. NC
4. CATHODE
CASE 318G–02
TSOP–6
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. SOURCE
5. DRAIN
6. DRAIN
23
4
5
6
A
L
1
S
G
D
B
H
C
0.05 (0.002)
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
0.1142
0.1220
2.90
3.10
B
0.0512
0.0669
1.30
1.70
C
0.0354
0.0433
0.90
1.10
D
0.0098
0.0197
0.25
0.50
G
0.0335
0.0413
0.85
1.05
H
0.0005
0.0040
0.013
0.100
J
0.0040
0.0102
0.10
0.26
K
0.0079
0.0236
0.20
0.60
L
0.0493
0.0610
1.25
1.55
M
0
10
0
10
S
0.0985
0.1181
2.50
3.00
__
_
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
M
J
K
PLASTIC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3904WT3 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT404ALT1 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT404ALT3 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT4258D87Z Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT3946DW1T1 制造商:WILLAS 制造商全稱:WILLAS 功能描述:Dual General Purpose Transistors
MMBT4124 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4124 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V
MMBT4124_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4124-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*