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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT4258D87Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 8/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 739K |
| 代理商： | MMBT4258D87Z |
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
50
100
150
200
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
TYPI
C
A
L
PU
LSED
C
U
RREN
T
GAI
N
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 1.0V
CE
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
TEMPERATURE ( C)
P
-
POW
E
R
DISSI
P
A
T
ION
(m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
CU
RR
E
N
T
(
n
A)
A
CBO
V
= 10V
CB
°
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
TA
G
E
(
V
)
C
CE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 10
Base-Emitt er Saturation
Voltage vs Collect or Current
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
β = 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 1V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
PN4258
/
MMBT4258
PNP Switching Transistor
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MPS5179J05Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MMBT4354_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4355 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4355_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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