參數(shù)資料
型號： MMBT4401T-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： MMBT4401T-7
DS30272 Rev. 2 - 2
1 of 3
MMBT4401T
MMBT4401T
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary PNP Type Available
(MMBT4403T)
Ultra-Small Surface Mount Package
Characteristic
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
d
R
JA
T
j
, T
STG
MMBT4401T
60
40
6.0
600
150
833
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage and Temperature Range
C/W
C
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
A
M
J
L
D
B
N
C
H
K
G
TOP VIEW
C
E
B
Mechanical Data
Case: SOT-523, Molded Plastic
Case material - UL Flammability Rating
Classification 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking (See Page 2): 2X
Ordering & Date Code Information: See Page 2
Weight: 0.002 grams (approx.)
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
SOT-523
Min
Dim
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
N
Max
Typ
0.15
0.30
0.22
0.75
0.85
0.80
1.45
1.75
1.60
0.50
0.90
1.10
1.00
1.50
1.70
1.60
0.00
0.10
0.05
0.60
0.80
0.75
0.10
0.30
0.22
0.10
0.20
0.12
0.45
0.65
0.50
0
8
All Dimensions in mm
E
B
C
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT4401-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT-4401-TR 制造商:Misc 功能描述:
MMBT4401WT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4401WT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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