參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT8099LT1G
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistor NPN Silicon
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 3)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
80
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
80
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
6.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
I
CES
0.1
Adc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 60 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 Vdc, I
C
= 0)
(V
EB
= 4.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
DC Current Gain
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
h
FE
100
100
75
300
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 10 mAdc)
V
CE(sat)
0.4
0.3
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
0.6
0.8
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
150
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 5.0 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
obo
6.0
pF
Input Capacitance
(V
EB
= 0.5 Vdc, I
C
= 0, f = 1.0 MHz)
3. Pulse Test: Pulse Width
C
ibo
25
pF
300 s, Duty Cycle
2.0%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918LT1G VHF/UHF Transistor NPN Silicon
MMBT918LT1 NPN transistor
MMBTA13LT1G Darlington Amplifier Transistors
MMBTA14LT1G Darlington Amplifier Transistors
MMBTA14LT1 Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon(NPN型達(dá)林頓放大器晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT8099LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MMBT918 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBT918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*