參數(shù)資料
型號: MMBTA42
廠商: KEC Holdings
英文描述: EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE, TELEPHONE)
中文描述: 外延平面NPN晶體管(高電壓,電話)
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 56K
代理商: MMBTA42
DIM.
mm
mils
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
0.85
1.1
33.4
43.3
B
0.65
0.95
25.6
37.4
C
1.20
1.4
47.2
55.1
D
2.80
3
110.2
118
E
0.95
1.05
37.4
41.3
F
1.9
2.05
74.8
80.7
G
2.1
2.5
82.6
98.4
H
0.38
0.48
14.9
18.8
L
0.3
0.6
11.8
23.6
M
0
0.1
0
3.9
N
0.3
0.65
11.8
25.6
O
0.09
0.17
3.5
6.7
0044616/B
SOT-23 MECHANICAL DATA
MMBTA42
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMBTA42 T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMBTA42,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
MMBTA42_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2