參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA44
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： SOT-23-3L Plastic-Encapsulate Transistors
中文描述： 采用SOT - 23 - 3升塑料封裝晶體管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 34K
代理商： MMBTA44
1
2. 80à0. 05
1.60à0. 05
0
2
0
1
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate Transistors
MMBTA44
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Power dissipation
P
CM:
0.35 W (Tamb=25
℃
)
Collector current
I
CM:
0.2 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 400 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)
CBO
Ic= 100μA, I
E
=0
400
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)
CEO
I
C
= 1mA , I
B
=0
400
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)
EBO
I
E
=100μA, I
C
=0
5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=400V, I
E
=0
0.1
μA
Collector cut-off current
I
CEO
V
CE
=400V
5
μA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 4V, I
C
=0
0.1
μA
H
FE(1)
V
CE
=10V, I
C
=10 mA
80
300
H
FE(2)
V
CE
=10V, I
C
=1mA
70
DC current gain
H
FE(3)
V
CE
=10V, I
C
=100 mA
60
V
CE
(sat)
I
C
=10 mA, I
B
=1mA
0.2
V
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
I
C
=50 mA, I
B
=5mA
0.3
V
Base-emitter sataration voltage
V
BE
(sat)
I
C
=10 mA, I
B
= 1 mA
0.75
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=20V, I
C
=10mA
f =30MHz
50
MHz
MARKING
3D
SOT-23-3L
1.
BASE
2.
EMITTER
3.
COLLECTOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ4617 Zener Diodes(齊納二極管)
MMBZ4625 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
MMBZ4626 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
MMBZ4627 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
MMBZ4618 Zener Diodes(齊納二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA44 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
MMBTA44_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
MMBTA44-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MMBTA55 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*