參數(shù)資料
型號： MMBTA64
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Darlington Transistor(PNP達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： MMBTA64
M
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
V
EB
= 10 V, I
C
= 0
30
V
nA
nA
100
100
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
10,000
20,000
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
1.5
2.0
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
I
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
125
MHz
Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0
0.01
0.1
1
0.4
0.8
1.2
1.6
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
β
= 1000
25 °C
- 40 oC
125 oC
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
0
10
20
30
40
50
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
V = 5V
PNP Darlington Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA65 PNP Darlington Transistor
MMBTH11 NPN RF Transistor(NPN射頻放大器)
MMBTH24 NPN RF Transistor(NPN射頻放大器)
MMBTH81 PNP RF Transistor(PNP射頻放大器)
MMBZ5253B Zeners
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA64_Q 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64-7 功能描述:達(dá)林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64-7-F 功能描述:達(dá)林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64LT1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*