參數(shù)資料
型號： MMBTA65
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Darlington Transistor
中文描述： 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： MMBTA65
M
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
30
V
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
V
EB
= 8.0 V, I
C
= 0
100
100
nA
nA
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
50,000
20,000
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
1.5
2.0
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
100
MHz
PNP Darlington Transistor
(continued)
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PDF描述
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MMBZ5233B Non-Compensated Precision Single Channel Operational Amplifier for Split Supplies, Ta = -40 to +105°C - Pb-free; Package: SOIC-8 Narrow Body; No of Pins: 8; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
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參數(shù)描述
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MMBTA70LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBTA92,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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