參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH11
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN RF Transistor(NPN射頻放大器)
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 182K
代理商： MMBTH11
M
NPN RF Transistor
(continued)
AC Typical Characteristics
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
°
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
P
TO-92
SOT-23
FIGURE 1: Unneutralized 200 MHz PG NF Test Circuit
200 mHz Output
into 50
200 mHz
Input
V
CC
= 12 V
1000 pF
1000 pF
0.8-10 pF
R
S
R
L
100 pF
1000 pF
1000 pF
2.2 K
390
270
L1
L2
V
BB
L1 - Ohmite Z-235 RFC
L2 - L6 turns No. 14 wire, 1 inch L x 1/4 inch ID
tapped 1 1/2 turns from cold side
Test Circuits
D
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTH24 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBTH24_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH24-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH24-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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