參數(shù)資料
型號： MMBTH24
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN RF Transistor(NPN射頻放大器)
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： MMBTH24
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
30
40
4.0
V
V
V
nA
50
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 8.0 mA, V
CE
= 10 V
30
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
C
= 8.0 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
400
MHz
C
cb
Collector-Base Capacitance
0.36
pF
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
NPN RF Transistor
(continued)
M
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTH24-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH24-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBTH34_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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