參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH34
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： MMBTH34 Surface Mount NPN RF-IF Amp
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： TO-236AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 75K
代理商： MMBTH34
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, June 2003
MMBTH
3
4
Package Dimensions
Dimensions in Millimeters
SOT-23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ5230B 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ5259BTS-7-F 39 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMC9-65608EV-45 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32
MMDL6050T1 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MMDL914 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTH34_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH81 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBTH81 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor
MMBTH81_D87Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBTH81_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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